GaN基电子材料与器件专题研讨会举办

7月22—24日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会（以下简称“专委会”）主办，北京大学、西交利物浦大学、中国科学院微电子研究所、广东省科学院半导体研究所联合承办的GaN基电子材料与器件专题研讨会在新疆伊犁举行。

本次会议分为报告和研讨两个环节。15位专家围绕GaN功率电子器件和GaN射频电子器件，从材料、器件、电路、应用、装备等几个方面作专题报告，并重点就当前所面临的问题和挑战以及相应解决方案的思考进行分享。专委会副主任委员、香港科技大学教授陈敬作《氮化镓异质结器件的横纵拓展》报告，专委会委员、珠海镓未来公司CEO吴毅锋作《AI时代功率器件的重组》报告，电子科技大学教授罗小蓉作《硅基功率半导体发展历程给Power GaN的启示》报告，东南大学教授孙伟峰作《GaN功率器件技术研究进展》报告，专委会委员、华为数字能源黄伯宁作《AI智算中心对供电的挑战》报告，深圳市汇川技术公司总工程师柏子平作《GaN功率器件在电机驱动领域的应用探讨》报告，湖南三安半导体公司高级工程师刘成作《工业及汽车应用下GaN功率器件发展趋势与技术挑战》报告，航天五院529所总工程师万成安作《宇航用高电压GaN基功率电子器件相关技术探讨》报告，专委会副主任委员、中电科55所研究员陈堂胜作《GaN微波功率器件技术发展》报告，西安电子科技大学教授马晓华作《面向终端应用的硅基氮化镓射频功率器件研究进展》报告，中兴通讯股份有限公司无线技术总工刘建利作《氮化镓射频器件在移动通信领域的应用》报告，专委会委员、中国科学院苏州纳米技术与仿生研究所研究员孙钱作《硅基氮化镓电子材料生长研究进展》报告，苏州纳维科技有限公司总经理王建峰作《应用于同质外延电力电子器件GaN单晶衬底制备技术》报告，北方华创科技集团股份有限公司总监杨牧龙作《宽禁带材料外延装备技术及产业协同》报告，中微半导体设备有限公司副总裁郭世平作《用于氮化镓功率器件的MOCVD装备发展现状及展望》报告。

研讨会环节，参会专家重点围绕“氮化物半导体功率器件实现1200V及以上和48V及以下应用还有哪些关键问题需要解决”“GaN 基射频器件实现终端应用(如手机)还有哪些关键科学技术问题需要解决”“对国家相关科技计划支持氮化物半导体电子材料和器件的具体建议”三个议题进行讨论。

此次会议得到了北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室、北京大学纳光电子前沿科学中心、北京大学宽禁带半导体研究中心、中国科学院微电子研究所、粤科光智(广州)科技有限公司、苏州纳维科技有限公司、北方华创科技集团股份有限公司、上海中微半导体设备有限公司、苏州晶湛半导体有限公司、苏州立琻半导体有限公司、北京中博芯半导体科技有限公司等协办单位的大力支持。

中国有色金属学会供稿