小型高端品牌交流活动——集成电路先进材料研讨会在京举办

由中国科协立项支持、中国材料研究学会主办的小型高端品牌交流活动——集成电路先进材料研讨会于8月11日在中国科技会堂举办，20余位来自高校、科研院所及企业的一线专家围绕相关议题开展交流研讨。本次活动为破解集成电路材料“卡脖子”难题提供了前瞻性思路，明确了技术攻关方向和协同创新重点，对推动我国集成电路材料实现自主可控发展具有积极意义。北京超弦存储器研究院执行副院长赵超担任执行主席，清华大学助理研究员张跃威、北京超弦存储器研究院副院长王桂磊担任学术秘书。

研讨会设三个主旨报告。国科天骥公司总经理杨国强聚焦光刻胶材料改性技术、工艺可靠性、研发进展及产业化路径等方面进行阐述，认为极紫外光刻胶的材料改性与工艺可靠性亟需提升。清华大学长聘副教授唐建石作“RRAM存储与单片三维集成技术”报告，强调阻变随机存储器（RRAM）存算一体芯片在低热预算材料体系中具有三维集成潜力，他还分享了RRAM器件设计原理与先进集成工艺技术。北京大学研究员吴恒指出，倒装场效应晶体管（FFET）可扩展三维集成，在存储器－逻辑堆叠等复杂电路的双面集成中展现出高灵活性与可扩展性。

自由交流环节，与会专家围绕芯片背部供电与背部信号互连技术、围栅器件关键工艺与三维堆叠技术、基于离子束技术的化合物半导体异质集成材料与器件等相关话题，结合研究基础和工程实践发表各自见解。其中，北京大学研究员陈荣梅指出，芯片背部互连技术在解决先进节点高性能芯片的供电和信号绕线困难方面具有巨大应用潜力。中国科学院微电子研究所研究员张青竹指出，选择性氧化技术可有效降低晶圆表面粗糙度、抑制界面态缺陷、提升微缩器件载流子迁移率，有望满足基底器件、栅源电容器件的高精度制备需求。北京超弦存储器研究院资深研发工程师颜刚平提出氧化铟镓锌（IGZO）材料在三维堆叠中存在热稳定性瓶颈，并重点剖析了IGZO氧化物沟道材料的热稳定特性与工艺特性。专家们还围绕先进光刻材料、新型存储器件、三维集成可靠性等前沿技术的难点及非共识问题，进行了深入研讨。

与会专家一致认为，先进光刻材料是集成电路制造的核心基础材料，我国高端光刻材料国产化率低，制约先进制程自主发展，亟需加快技术转化应用步伐。针对产业发展，专家建议，一是强化先进材料、新型存储器件等领域的自主攻关；二是建立材料—工艺—器件协同验证平台，加速实验室成果向产线转移；三是重视基础机理研究，解决IGZO可靠性的核心问题；四是积极推动背部供电等新架构的工程化探索。

中国科协科学技术创新部 供稿